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- 型号： HUF75631SK8
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HUF75631SK8由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HUF75631SK8价格参考。Fairchild SemiconductorHUF75631SK8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载HUF75631SK8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HUF75631SK8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
HUF75631SK8 是 Fairchild Semiconductor（现属安森美半导体 ON Semiconductor）推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-263（D²PAK）封装，具备低导通电阻（RDS(on) ≈ 9.5 mΩ @ VGS = 10 V）、高电流能力（ID = 75 A）及优良的开关性能。其典型应用场景包括： - DC-DC 转换器：作为同步整流开关或主功率开关，用于服务器电源、通信电源等中高功率 buck/boost 电路，提升效率与功率密度； - 电机驱动：适用于中小功率无刷直流（BLDC）电机控制、工业风扇/泵驱动中的 H 桥上/下桥臂开关； - 电源管理模块：在 ORing 电路、热插拔（Hot-swap）保护、负载开关（Load Switch）中实现低损耗通断控制； - UPS 与逆变器：用作 DC/AC 逆变级或电池侧开关，支持高频、高效率能量转换； - LED 驱动电源：在大功率 LED 恒流驱动的 PWM 开关环节中提供快速响应与低发热。 该器件具备雪崩耐量（Rugged Avalanche Rated）、100% 经过 UIL 测试，适合对可靠性要求较高的工业与通信设备。需注意其栅极阈值电压（VGS(th) ≈ 2–4 V），建议使用 ≥10 V 驱动以确保充分饱和，降低导通损耗。 （注：Fairchild 已于 2016 年被安森美收购，该型号现由 ON Semiconductor 继续供货与支持。）
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