Datasheet下载- 型号： HUF75631S3S
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HUF75631S3S由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HUF75631S3S价格参考。Fairchild SemiconductorHUF75631S3S封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载HUF75631S3S参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HUF75631S3S 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
HUF75631S3S 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-220AB封装，具有低导通电阻（Rds(on) ≈ 14 mΩ @ Vgs=10V）、高电流能力（ID=75A连续，脉冲达280A）及优良的开关特性。其典型应用场景包括： - DC-DC电源转换：广泛用于服务器、通信设备及工业电源中的同步整流BUCK/BOOST电路，提升转换效率； - 电机驱动：适用于中小功率直流电机、步进电机的H桥驱动或PWM调速模块，耐受反电动势冲击； - 电源管理与负载开关：在板级电源分配中作高效电子保险丝或热插拔控制，配合过流/过温保护电路； - 照明驱动：LED恒流驱动电路中的主开关器件，尤其适用于高亮度LED路灯或工业照明电源； - 逆变器与UPS系统：作为输出级功率开关，用于小功率离线式逆变器或不间断电源的DC-AC转换环节。 该器件具备雪崩耐量（UIS）和较强ESD防护能力，适合在中等功率、中高频（≤100 kHz）开关场景下可靠运行。需注意合理设计栅极驱动（推荐10–15 V驱动电压）、散热（配合适当散热器）及PCB布局以抑制寄生振荡。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | HUF75631S3S |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | UltraFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1220pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 79nC @ 20V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 40 毫欧 @ 33A，10V |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 功率-最大值 | 120W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 400 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 33A （Tc） |
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