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- 型号： HUF75545S3S
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HUF75545S3S由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HUF75545S3S价格参考。Fairchild SemiconductorHUF75545S3S封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载HUF75545S3S参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HUF75545S3S 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
HUF75545S3S 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-220AB封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值仅6.5mΩ @ Vgs=10V）、高电流能力（ID=75A连续，脉冲达280A）及优良的开关特性。其主要应用场景包括： 1. DC-DC电源转换：广泛用于服务器、通信设备及工业电源中的同步整流BUCK转换器，提升效率并降低温升； 2. 电机驱动：适用于中小功率直流电机、步进电机驱动电路中的H桥或半桥开关，支持高频PWM控制； 3. 电池管理系统（BMS）：用作充放电主回路保护开关或均衡开关，凭借低Rds(on)减小功耗与发热； 4. 负载开关与电源路径管理：在工控、医疗设备等需可靠热插拔或电源冗余的系统中，实现高效通断控制； 5. 逆变器与UPS系统：作为输出级功率开关，配合驱动IC完成AC/DC或DC/AC能量变换。 该器件具备雪崩耐量（UIS额定），增强了系统鲁棒性；同时兼容标准栅极驱动电压（4.5–10V），便于与主流控制器（如MCU、PWM IC）直接接口。需注意合理设计PCB布局、散热（建议加装散热片）及栅极驱动（避免振荡与过压），以充分发挥其性能优势。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 80V 75A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | HUF75545S3S |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | UltraFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3750pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 235nC @ 20V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 10 毫欧 @ 75A，10V |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 功率-最大值 | 270W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 80V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 75A （Tc） |
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