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- 型号： HUF75531SK8T
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HUF75531SK8T由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HUF75531SK8T价格参考。Fairchild SemiconductorHUF75531SK8T封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载HUF75531SK8T参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HUF75531SK8T 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
HUF75531SK8T 是 Fairchild Semiconductor（现属ON Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-263（D²PAK）封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值仅约8.5 mΩ @ Vgs=10V）、高电流能力（ID=75A连续，脉冲达260A）及优良的开关性能。 其典型应用场景包括： ✅ DC-DC电源转换：广泛用于服务器/通信设备中的同步整流Buck转换器、POL（Point-of-Load）模块，提升效率并降低温升； ✅ 电机驱动：适用于中小功率无刷直流（BLDC）电机控制器、电动工具、风扇驱动等，支持高频PWM调速； ✅ 电源管理与保护电路：如电子保险丝（eFuse）、热插拔（Hot-swap）控制、负载开关及过流保护模块； ✅ 工业与汽车电子：在车载DC/DC变换器、LED车灯驱动、电池管理系统（BMS）的充放电回路中承担主开关或高侧/低侧驱动角色（需注意AEC-Q101认证版本才适用于车规级，该型号为工业级，非原厂车规）； ✅ 逆变器与UPS系统：作为半桥/全桥拓扑中的功率开关器件，适用于中小功率不间断电源和光伏微逆变器辅助电路。 该器件具备雪崩耐受能力、快速开关特性（tr/tf约20/25ns）及优化的栅极电荷（Qg≈100nC），兼顾效率与EMI表现。设计时需注意PCB散热布局与驱动电路匹配（推荐10–15V栅极驱动电压），以充分发挥其性能优势。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 80V 6A 8-SOP |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | HUF75531SK8T |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | UltraFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1210pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 82nC @ 20V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 30 毫欧 @ 6A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SOP |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 80V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6A （Ta） |
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