Datasheet下载- 型号： HUF75343S3
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HUF75343S3由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HUF75343S3价格参考。Fairchild SemiconductorHUF75343S3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载HUF75343S3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HUF75343S3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
HUF75343S3 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-220AB封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 0.018 Ω @ VGS = 10 V）、高电流能力（ID = 75 A）和优良的开关特性。其典型应用场景包括： - DC-DC电源转换：广泛用于开关电源（SMPS）、同步整流、BUCK/BOOST变换器等，提升效率并降低温升； - 电机驱动：适用于中小功率直流电机、步进电机的H桥或单边驱动电路，如电动工具、家电（风扇、水泵）及工业控制器； - 负载开关与电源管理：作为电子保险丝、热插拔保护或板级电源通断控制器件，利用其快速开关与过流耐受能力； - 逆变器与UPS系统：在离网/备用电源中承担高频逆变主开关角色，配合驱动IC实现高效能量转换； - 汽车电子辅助系统：满足AEC-Q101可靠性认证（注：HUF75343S3为工业级，非车规；若用于车载需确认具体批次或选用车规型号如NVHLxxx系列），常见于车身控制模块、LED照明驱动等非安全关键场景。 该器件强调高功率密度与热稳定性，适配标准PCB散热设计，但大电流应用时仍建议加装散热片。选型时需注意栅极驱动电压（推荐10 V以上以充分导通）、SOA（安全工作区）及寄生振荡抑制（如加装栅极电阻）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 75A TO-262AA |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | HUF75343S3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | UltraFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3000pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 205nC @ 20V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 9 毫欧 @ 75A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-262AA |
| 功率-最大值 | 270W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 标准包装 | 400 |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 75A （Tc） |
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