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产品简介:
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HUF75329P3 是 Fairchild Semiconductor(现属安森美半导体 ON Semiconductor)推出的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,采用 TO-220AB 封装,具有低导通电阻(RDS(on) ≈ 0.008 Ω @ VGS = 10 V)、高电流能力(ID = 75 A)和耐压达 30 V 的特性。其典型应用场景包括: 1. DC-DC 电源转换:广泛用于同步整流 Buck/Boost 转换器、多相 VRM(电压调节模块),尤其适合作为低侧开关,提升转换效率; 2. 电机驱动:适用于中小功率直流有刷电机、步进电机驱动电路中的 H 桥低边开关,支持高频 PWM 控制; 3. 电池管理系统(BMS):用作电池保护电路中的充放电主控开关或负载开关,利用其低 RDS(on) 减小功耗与温升; 4. 电源热插拔与电子保险丝:凭借快速开关特性和过流鲁棒性,可实现限流保护与软启动功能; 5. LED 驱动与照明控制:在高电流 LED 恒流驱动或调光电路中作为主开关器件。 该器件具备雪崩额定能力(UIS),增强了系统可靠性;同时兼容标准逻辑电平(VGS(th) ≈ 2–4 V),易于由微控制器或驱动 IC 直接驱动。需注意:实际应用中应合理设计栅极驱动、散热(建议加装散热片)及PCB铜箔面积,以保障长期稳定运行。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 49A TO-220ABMOSFET 20a 55V N-Channel UltraFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 49 A |
| Id-连续漏极电流 | 49 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor HUF75329P3UltraFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | HUF75329P3 |
| PCN过时产品 | |
| Pd-PowerDissipation | 128 W |
| Pd-功率耗散 | 128 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 26 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 26 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 55 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 55 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 58 ns |
| 下降时间 | 33 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1060pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 75nC @ 20V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 24 毫欧 @ 49A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 典型关闭延迟时间 | 33 ns |
| 功率-最大值 | 128W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 2.240 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 400 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 400 |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 49A (Tc) |
| 系列 | HUF75329 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | HUF75329P3_NL |