Datasheet下载- 型号： HTNFET-D
- 制造商： Honeywell Solid State Electronics
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HTNFET-D由Honeywell Solid State Electronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HTNFET-D价格参考。Honeywell Solid State ElectronicsHTNFET-D封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载HTNFET-D参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HTNFET-D 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CHANNEL 55V 8-DIP |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Honeywell Microelectronics & Precision Sensors |
| 数据手册 | http://www.honeywell.com/sites/servlet/com.merx.npoint.servlets.DocumentServlet?docid=DCCE80583-1A4A-5AA3-E02A-D4CB25848F4F |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | HTNFET-D |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HTMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.4V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 290pF @ 28V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 4.3nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 400 毫欧 @ 100mA，5V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | 8-CDIP-EP |
| 其它名称 | 342-1078 |
| 功率-最大值 | 50W |
| 包装 | 散装 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | 8-CDIP 裸露焊盘 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | - |
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