ICGOO在线商城 > HN4B04J(TE85L,F)
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HN4B04J(TE85L,F)产品简介:
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| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS NPN + PNP 30V 500MA SMV |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列 |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | HN4B04J(TE85L,F) |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 250mV @ 10mA,100mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 70 @ 100mA,1V |
| 供应商器件封装 | SMV |
| 其它名称 | HN4B04J(TE85LF)TR |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-74A,SOT-753 |
| 晶体管类型 | NPN,PNP |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 30V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 500mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 100µA (ICBO) |
| 频率-跃迁 | 200MHz |