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Datasheet下载- 型号： HMC754S8GETR
- 制造商： Hittite
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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HMC754S8GETR产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HMC754S8GETR由Hittite设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HMC754S8GETR价格参考。HittiteHMC754S8GETR封装/规格：RF 放大器， RF Amplifier IC General Purpose 0Hz ~ 1GHz 8-SOIC。您可以下载HMC754S8GETR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HMC754S8GETR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
HMC754S8GETR是Analog Devices Inc.（ADI）推出的一款高性能RF放大器，属于宽频带、高增益的砷化镓（GaAs）MMIC放大器。该器件采用8引脚封装，工作频率范围为0.1 GHz至6 GHz，适用于多种射频和微波应用场景。 其主要应用场景包括：无线通信基础设施，如蜂窝基站中的中频与射频信号放大；点对点和点对多点微波回传系统，用于增强信号强度和传输距离；军用无线电与电子战系统，因其具备良好的线性度和稳定性，可在复杂电磁环境中可靠工作；测试与测量设备，如频谱分析仪、信号发生器等，作为内部增益模块提升仪器性能；卫星通信系统中的上变频或下变频链路放大；以及宽带雷达系统中的前端信号放大。 HMC754S8GETR具有高增益（典型值约20 dB）、低噪声系数和优异的输出三阶交调截点（OIP3），支持直流偏置可调，便于系统优化功耗与性能平衡。其宽频特性使其能覆盖多个通信频段，减少系统中所需元件数量，提升集成度与可靠性。由于采用小型表面贴装封装，适合空间受限的高密度电路设计。 综上，HMC754S8GETR广泛应用于需要宽频带、高线性度和稳定增益的高性能射频系统中，是现代通信与国防电子领域的重要组件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | IC AMP MMIC P-P 2CH HBT 8SOIC |
| 产品分类 | |
| 品牌 | Hittite Microwave Corporation |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| P1dB | 21dBm |
| 产品型号 | HMC754S8GETR |
| RF类型 | 通用 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC |
| 其它名称 | 1127-1832-1 |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 噪声系数 | 6.5dB |
| 增益 | 14.7dB |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 1 |
| 测试频率 | - |
| 电压-电源 | 5V |
| 电流-电源 | 160mA |
| 配用 | /product-detail/zh/124063-HMC754S8GE/1127-2409-ND/4794701/product-detail/zh/124825-HMC754S8GE/1127-2410-ND/4794702/product-detail/zh/126311-HMC754S8GE/1127-2421-ND/4794713 |
| 频率 | 0Hz ~ 1GHz |
