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- 型号： HM4-6516-9
- 制造商： Harris
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HM4-6516-9由Harris设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HM4-6516-9价格参考。HarrisHM4-6516-9封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载HM4-6516-9参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HM4-6516-9 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
HM4-6516-9 是 Harris Corporation（哈里斯公司）于20世纪70年代末至80年代初推出的双极型高速静态随机存取存储器（SRAM），容量为2K×8位（即2048字节），存取时间典型值为90ns（-9后缀表示90ns速度等级）。该芯片采用NMOS工艺，工作电压为+5V，具有三态输出和单电源供电等特性。 其主要应用场景集中于对速度和可靠性要求较高的早期数字系统中，包括： - 工业控制设备中的实时数据缓存与寄存器堆扩展； - 军用与航空航天电子系统（Harris 以军工起家，该器件符合部分军规筛选标准，如温度范围-55℃～+125℃的宽温版本）； - 高端测试仪器、数字示波器及信号发生器的内部缓冲存储； - 早期小型计算机（如PDP-11兼容系统）、嵌入式控制器及专用通信终端的主存或I/O映射RAM； - 需要低功耗与快速响应的实时中断服务例程（ISR）数据区。 需注意：HM4-6516-9属已停产的Legacy器件（约1990年代逐步淘汰），当前无原厂供货，仅见于老旧设备维护、历史系统修复或收藏级项目。现代设计中已被CMOS SRAM（如ISSI、ON Semi等厂商产品）全面替代。
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