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产品简介:
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HIP2101IBT 是瑞萨电子(Renesas Electronics America Inc.)推出的高性能双通道高速MOSFET栅极驱动器,属于PMIC(电源管理集成电路)中的栅极驱动器类别。其典型应用场景包括: - 同步降压(Buck)转换器:常用于CPU/GPU供电的多相VRM(电压调节模块),驱动高侧与低侧N沟道MOSFET,支持高达100V/ns的dV/dt抗扰能力,确保开关可靠性。 - 半桥/全桥拓扑电源系统:如电机驱动、DC-AC逆变器、数字功放(Class-D)及LED照明驱动,利用其独立输入控制、4A峰值拉/灌电流和20ns典型传播延迟,实现高效、低损耗开关。 - 工业与通信电源:适用于服务器、基站电源、PLC电源模块等对效率、热性能和EMI敏感的场景;内置死区时间控制(可外加电阻调节)防止直通,增强系统鲁棒性。 - 电池供电设备:支持4.5V–18V宽范围单电源供电,静态电流低(典型1.2mA),适用于便携式医疗设备或工控终端中的紧凑型DC-DC模块。 该器件采用无铅SOIC-8封装(HIP2101IBT),具备欠压锁定(UVLO)、逻辑电平兼容输入(TTL/CMOS)及热关断保护,适用于高频(可达1MHz以上)、高功率密度的中等功率电源设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC DRIVER HALF-BRIDGE 8-SOIC |
| 产品分类 | PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 |
| 品牌 | Intersil |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | HIP2101IBT |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 工作温度 | -40°C ~ 125°C |
| 延迟时间 | 25ns |
| 标准包装 | 2,500 |
| 电压-电源 | 9 V ~ 14 V |
| 电流-峰值 | 2A |
| 输入类型 | PWM |
| 输出数 | 2 |
| 配置 | 半桥 |
| 配置数 | 1 |
| 高压侧电压-最大值(自举) | 100V |