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- 型号： HIP2101EIBT
- 制造商： Intersil
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HIP2101EIBT由Intersil设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HIP2101EIBT价格参考。IntersilHIP2101EIBT封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载HIP2101EIBT参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HIP2101EIBT 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
HIP2101EIBT是瑞萨电子（Renesas Electronics America Inc）推出的高性能双通道高速MOSFET栅极驱动器，适用于高效率、高频率的功率转换系统。其典型应用场景包括： - 同步降压（Buck）转换器：常用于CPU/GPU供电（VRM）、服务器电源及通信设备的POL（Point-of-Load）模块，驱动上、下桥臂N沟道MOSFET，支持高达100V/ns的dV/dt抗扰能力，确保高噪声环境下的可靠换相。 - 半桥/全桥拓扑：如DC-DC隔离电源、工业电机驱动前置驱动级、LED恒流驱动电源等，利用其独立输入控制与4A峰值拉电流/6A灌电流能力，实现快速开关与低开关损耗。 - 高频谐振变换器：如LLC、ZVS移相全桥等，得益于其超低传播延迟（典型值25ns）和优异的通道匹配性（<1ns偏差），可精确控制死区时间，提升系统效率与EMI性能。 - 汽车电子辅助电源：在符合AEC-Q100 Grade 2（–40°C 至 +105°C）的工业/车载环境中，用于车载充电机（OBC）辅助电源、ADAS域控制器供电等非安全关键但高可靠性要求场景。 该器件采用紧凑型8引脚SOIC封装（HIP2101EIBT），集成欠压锁定（UVLO）、交叉导通抑制及热关断保护，无需外部自举二极管（支持集成式自举电路），简化设计并提升系统鲁棒性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC DRVR HALF BRDG 100V 8EP-SOIC |
| 产品分类 | PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 |
| 品牌 | Intersil |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | HIP2101EIBT |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC-EP |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）裸焊盘 |
| 工作温度 | -40°C ~ 125°C |
| 延迟时间 | 25ns |
| 标准包装 | 2,500 |
| 电压-电源 | 9 V ~ 14 V |
| 电流-峰值 | 2A |
| 输入类型 | PWM |
| 输出数 | 2 |
| 配置 | 半桥 |
| 配置数 | 1 |
| 高压侧电压-最大值（自举） | 100V |
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