【未分类_HGTP7N60A4】封装/厂家_HGTP7N60A4中文资料_价格

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型号： HGTP7N60A4
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供HGTP7N60A4由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HGTP7N60A4价格参考。Fairchild SemiconductorHGTP7N60A4封装/规格：未分类，暂无。您可以下载HGTP7N60A4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HGTP7N60A4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ON Semiconductor的HGTP7N60A4是一款MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于晶体管 - UGBT（超结沟槽型MOSFET）类别，具有以下应用场景：

1. 开关电源（SMPS）：  
   HGTP7N60A4适用于各种开关电源设计，例如AC-DC转换器、DC-DC转换器等。其低导通电阻（Rds(on)）和高击穿电压（600V）使其能够高效处理高压输入和快速开关操作，适合用于笔记本适配器、电视电源和工业电源模块。

2. 电机驱动：  
   该器件可用于无刷直流电机（BLDC）和其他电机驱动应用中，作为功率级开关元件。其出色的开关特性和耐压能力可以满足电机启动、调速及负载变化的需求，常见于家用电器（如空调、冰箱、洗衣机）和电动工具中。

3. 逆变器：  
   在太阳能逆变器或不间断电源（UPS）系统中，HGTP7N60A4可以用作主功率开关器件。其高效率和可靠性有助于提高能量转换效率，并减少热量损耗。

4. PFC电路（功率因数校正）：  
   该MOSFET适合应用于升压型功率因数校正电路中，以改善电力系统的功率因数，确保电网与设备之间的高效能量传输。这种应用常见于LED照明驱动器和消费电子产品中。

5. 电池管理系统（BMS）：  
   HGTP7N60A4可用于电动车、储能系统或其他需要大电流充放电管理的应用中，作为保护开关或同步整流器，提供过流保护和快速响应特性。

6. 家电控制：  
   家用电器中的电磁炉、微波炉、风扇等产品可能使用此类MOSFET来实现精确的功率控制和节能效果。

总结来说，HGTP7N60A4凭借其高性能参数，广泛应用于需要高效能、高可靠性和高压支持的各种电子设备中，尤其在电源管理和电机驱动领域表现突出。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
25°C时Td（开/关）值	11ns/100ns
产品目录	分立半导体产品
Current-CollectorPulsed(Icm)	56A
描述	IGBT 600V 34A 125W TO220AB
产品分类	IGBT - 单路
GateCharge	37nC
IGBT类型	-
品牌	Fairchild Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet 点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	HGTP7N60A4
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
SwitchingEnergy	55µJ （开）， 60µJ （关）
TestCondition	390V, 7A, 25 欧姆, 15V
不同 Vge、Ic时的 Vce(on)	2.7V @ 15V，7A
产品培训模块	http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
供应商器件封装	TO-220AB
其它名称	HGTP7N60A4_NL HGTP7N60A4_NL-ND
功率-最大值	125W
包装	管件
反向恢复时间(trr)	-
安装类型	通孔
封装/外壳	TO-220-3
标准包装	400
电压-集射极击穿（最大值）	600V
电流-集电极(Ic)（最大值）	34A
输入类型	标准