【未分类_HGTP3N60C3】封装/厂家_HGTP3N60C3中文资料_价格

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型号： HGTP3N60C3
制造商： Harris
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供HGTP3N60C3由Harris设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HGTP3N60C3价格参考。HarrisHGTP3N60C3封装/规格：未分类，暂无。您可以下载HGTP3N60C3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HGTP3N60C3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

HGTP3N60C3 是 Harris Semiconductor（后被 Intersil 收购，现属 Renesas）推出的 600V、3A 高压超结 MOSFET（非IGBT，属“晶体管 - MOSFET - 单”类别），采用 TO-220 封装，具备低导通电阻（Rds(on) ≈ 2.5Ω）、快速开关特性及增强型体二极管，适用于中功率、高效率开关应用。

典型应用场景包括：  
1. 开关电源（SMPS）：作为主开关管用于AC-DC适配器、PC ATX电源、LED驱动电源等，工作在60–100kHz频段，兼顾效率与EMI性能；  
2. 离线式反激/准谐振变换器：利用其600V耐压和雪崩耐受能力，满足宽输入电压（85–265VAC）下的可靠工作；  
3. 工业控制电源模块：为PLC、传感器供电的辅助电源，要求高可靠性与长期稳定性；  
4. 小功率电机驱动：如风扇、水泵等单相交流电机的调速控制（配合TRIAC或继电器作启停，不直接驱动大电流电机）；  
5. LED恒流驱动电路：在降压（Buck）或原边反馈反激架构中用作功率开关，实现高效恒流输出。

注意：该器件非IGBT（HGTP系列为MOSFET），不适用于>10A或>20kHz高频大功率逆变场景；其3A额定电流需搭配合理散热设计（如加散热片）以保障连续工作可靠性。实际应用中建议参考Renewal版数据手册（Renesas文档编号：FN7677）并进行热仿真验证。

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