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型号： HGTP20N35F3ULR3935
制造商： Harris
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供HGTP20N35F3ULR3935由Harris设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HGTP20N35F3ULR3935价格参考。HarrisHGTP20N35F3ULR3935封装/规格：未分类，暂无。您可以下载HGTP20N35F3ULR3935参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HGTP20N35F3ULR3935 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

HGTP20N35F3ULR3935 是 Harris Semiconductor（后被Intersil收购，现属瑞萨电子）推出的一款高压、高速场截止型IGBT（绝缘栅双极型晶体管），额定参数为20A / 350V，采用TO-247封装，内置快速恢复反并联二极管，具备低导通压降（VCE(sat) ≈ 1.8V @ IC=20A）和优化的开关特性。

其典型应用场景包括：  
• 中小功率变频器与逆变器：如家电（变频空调、洗衣机驱动）、工业风机/水泵的PWM电机驱动；  
• 不间断电源（UPS）与光伏逆变器：适用于DC-AC转换级，兼顾效率与开关频率（可达20–40 kHz）；  
• 感应加热设备：利用其快速开关与耐压能力，支持谐振式半桥/全桥拓扑；  
• 电磁炉与高频焊机：在中频（20–50 kHz）下实现高效能量转换；  
• 工业电源与SMPS辅助开关：用于PFC升压电路或主功率级，提升系统能效与热稳定性。

该器件强调鲁棒性与可靠性，具备短路耐受能力（典型10μs），适合对EMI、温升及动态性能有要求的中频硬开关应用。需配合合理驱动（如±15V栅极电压、足够峰值驱动电流）及散热设计以发挥最佳性能。

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