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详细数据请看参考数据手册
- 型号： HGTP15N40C1
- 制造商： Harris
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HGTP15N40C1由Harris设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HGTP15N40C1价格参考。HarrisHGTP15N40C1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载HGTP15N40C1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HGTP15N40C1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
HGTP15N40C1 是 Harris Corporation（现已被 Exar 公司收购，后并入 MaxLinear）推出的一款分立式 N 沟道增强型功率 MOSFET（非 IGBT；型号中“GTP”代表 “General Purpose Transistor”，但该器件实为高压平面型 MOSFET），额定参数为 400V VDSS、15A ID（连续）、RDS(on) ≈ 0.32Ω（典型值）。需注意：其命名易被误认为 IGBT，但数据手册明确标识为 MOSFET，无内置续流二极管。 典型应用场景包括： - 开关电源（SMPS）：用于 AC-DC 适配器、PC 电源、工业电源的主开关管或 PFC 升压开关，适用于 380V DC 总线以下的中功率场合。 - 电机驱动：在中小功率直流无刷电机（BLDC）或步进电机的半桥/全桥驱动电路中，作为高速开关元件（开关频率可达 100kHz 以上）。 - 照明电子镇流器与 LED 驱动：用于高频谐振变换器或降压/升降压拓扑，实现高效恒流控制。 - 逆变器与 UPS 系统：在单相离线式逆变模块中承担 DC-AC 转换功能（常配合反并联二极管使用）。 优势在于高电压耐受性、较低导通损耗及良好雪崩耐量（UIS rated），适合对可靠性与效率有要求的工业与消费类中功率应用。需注意其栅极阈值电压约 2–4V，建议使用 ≥10V 驱动以确保充分饱和，并配备合理栅极电阻抑制振荡。
产品参数
图文手册
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