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Datasheet下载- 型号： HGTP12N60C3D
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HGTP12N60C3D由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HGTP12N60C3D价格参考。Fairchild SemiconductorHGTP12N60C3D封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载HGTP12N60C3D参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HGTP12N60C3D 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美半导体）的HGTP12N60C3D是一款N沟道MOSFET，属于晶体管 - UGBT（超结功率MOSFET）类别。其主要应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS） HGTP12N60C3D具有低导通电阻（Rds(on)）和高击穿电压（600V），非常适合用于开关电源中的高频开关应用，例如AC-DC转换器、DC-DC转换器等。 2. 电机驱动 该器件可应用于各种电机控制场景，如工业设备中的伺服电机、家用电器中的风扇或泵驱动等。其高耐压特性和快速开关能力能够满足电机驱动的需求。 3. 逆变器 在太阳能逆变器或UPS（不间断电源）系统中，HGTP12N60C3D可用于将直流电转换为交流电，提供高效的能量转换和稳定的输出。 4. PFC（功率因数校正）电路 由于其出色的开关性能和耐压能力，该MOSFET适用于功率因数校正电路，以提高电力系统的效率并减少谐波失真。 5. 电动车和电动工具 HGTP12N60C3D可以用于电动车控制器、电动工具的电源管理系统中，支持高效的能量传输和控制。 6. 照明系统 在LED驱动器和高压荧光灯镇流器中，该MOSFET能够实现精确的电流控制和高效的能量管理。 7. 工业自动化 可用于工业自动化设备中的继电器替代、电磁阀驱动等场景，提供可靠的开关功能。 总结来说，HGTP12N60C3D凭借其高耐压、低导通电阻和快速开关特性，广泛应用于需要高效功率转换和控制的领域，如电源管理、电机驱动、逆变器和工业自动化等。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | - |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 96A |
| 描述 | IGBT 600V 24A 104W TO220AB |
| 产品分类 | IGBT - 单路 |
| GateCharge | 48nC |
| IGBT类型 | - |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | HGTP12N60C3D |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| SwitchingEnergy | 380µJ （开）， 900µJ （关） |
| TestCondition | - |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.2V @ 15V，15A |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 功率-最大值 | 104W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | 40ns |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 600V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 24A |
| 输入类型 | 标准 |
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