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- 型号： HGTP10N40E1
- 制造商： Harris
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HGTP10N40E1由Harris设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HGTP10N40E1价格参考。HarrisHGTP10N40E1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载HGTP10N40E1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HGTP10N40E1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
HGTP10N40E1 是 Harris Corporation（现已被 Exar 公司收购，后并入 MaxLinear）推出的一款高压、高速 N 沟道增强型功率 MOSFET（非 IGBT），采用 TO-220AB 封装，额定参数为 400V VDSS、10A ID（连续）、RDS(on) 典型值 0.45Ω（VGS=10V）。需注意：该器件实为MOSFET 单管，非 IGBT；Harris 官方资料中未将其归类为 IGBT。 其典型应用场景包括： - 开关电源（SMPS）：适用于 AC-DC 适配器、PC 电源、工业电源的主开关或同步整流级，利用其快速开关（ton/toff 约数十纳秒）与低导通损耗优势。 - DC-DC 变换器：在升压（Boost）、降压（Buck）及反激（Flyback）拓扑中作为主功率开关，尤其适合中等功率（约100–300W）场合。 - 电机驱动控制：用于小功率直流电机、步进电机的H桥驱动或PWM调速电路，配合续流二极管实现高效换向。 - 照明电子镇流器与LED驱动：在高频电子镇流器或恒流LED驱动中承担高频斩波功能。 - 逆变与UPS系统：可作为辅助开关或旁路开关，但因电压/电流等级限制，不适用于主逆变桥臂（需更高规格器件）。 该器件具备良好的雪崩耐受能力（UIS rated），适用于存在感性负载或电压尖峰的工况。设计时需注意栅极驱动强度（推荐12–15V驱动）、PCB散热及米勒效应抑制，以确保可靠开关。 （注：Harris 已不再独立运营该产品线，当前技术支持与供货建议参考 MaxLinear 或授权分销商。）
产品参数
图文手册
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