【未分类_HGTP10N40C1D】封装/厂家_HGTP10N40C1D中文资料_价格

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型号： HGTP10N40C1D
制造商： Harris
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供HGTP10N40C1D由Harris设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HGTP10N40C1D价格参考。HarrisHGTP10N40C1D封装/规格：未分类，暂无。您可以下载HGTP10N40C1D参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HGTP10N40C1D 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

HGTP10N40C1D 是安森美（onsemi）推出的 N 沟道增强型高压功率 MOSFET（非 IGBT），采用 TO-220AB 封装，额定电压 400 V，连续漏极电流 10 A（Tc = 25°C），具备低导通电阻（Rds(on) 典型值 0.45 Ω）、快速开关特性及内置反并联快恢复二极管（D1 后缀即表示带“Fast Recovery Diode”）。

其典型应用场景包括：  
✅ 开关电源（SMPS）：适用于 AC-DC 适配器、PC 电源、LED 驱动电源中的主开关或同步整流；  
✅ 电机控制：用于中小功率直流无刷电机（BLDC）驱动、风扇/泵类家电的半桥/全桥逆变电路；  
✅ 照明电子镇流器与HID驱动：满足高频、高效率要求；  
✅ 工业控制模块：如PLC输出级、继电器替代固态开关、DC-DC 升降压转换器（如 LLC 或硬开关拓扑）；  
✅ 电池管理系统（BMS）保护电路：用于充放电路径的过流/短路保护开关。

需注意：该器件为单 MOSFET（非 IGBT），不适用于 >1 kHz 以下大电流低频硬开关场景（如传统工业变频器主逆变），也不适合直接替代 IGBT；其内置二极管可简化设计，但反向恢复特性需在高频应用中评估 EMI 影响。建议配合合适栅极驱动与散热设计使用。

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