【未分类_HGTH20N50E1D】封装/厂家_HGTH20N50E1D中文资料_价格

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型号： HGTH20N50E1D
制造商： Harris
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供HGTH20N50E1D由Harris设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HGTH20N50E1D价格参考。HarrisHGTH20N50E1D封装/规格：未分类，暂无。您可以下载HGTH20N50E1D参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HGTH20N50E1D 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

HGTH20N50E1D 是安森美（onsemi）推出的高压超结MOSFET（非IGBT），采用TO-247AD封装，额定参数为500V/20A，内置快速恢复体二极管（“D”后缀标识），具备低导通电阻（Rds(on)典型值0.22Ω）和优化的开关性能。

其主要应用场景包括：  
1. 开关电源（SMPS）：适用于AC-DC适配器、服务器/通信电源、LED驱动电源中的PFC（功率因数校正）升压电路及主功率开关，凭借高电压耐受与低损耗提升效率。  
2. 工业电机驱动：用于中小功率变频器、伺服驱动器的逆变桥上桥臂或单端拓扑，内置二极管可简化续流路径设计。  
3. 感应加热与电磁炉：满足高频（数十kHz至百kHz）、高dv/dt工况需求，体二极管软恢复特性降低EMI与开关应力。  
4. UPS与光伏逆变器：在DC-AC转换级中承担高频硬开关任务，兼顾效率与可靠性。  

需注意：该器件为N沟道增强型MOSFET（非IGBT），不适用于大电流低频硬开关场景；设计时应重视栅极驱动（推荐12–15V驱动电压）、PCB布局（减小寄生电感）及热管理（需匹配足够散热器）。  

（字数：298）

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