【未分类_HGTH20N50C1】封装/厂家_HGTH20N50C1中文资料_价格

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型号： HGTH20N50C1
制造商： Harris
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供HGTH20N50C1由Harris设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HGTH20N50C1价格参考。HarrisHGTH20N50C1封装/规格：未分类，暂无。您可以下载HGTH20N50C1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HGTH20N50C1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

HGTH20N50C1 是一款由ON Semiconductor（安森美）生产的高压、高速IGBT（绝缘栅双极型晶体管），额定电压500V，额定电流20A（连续），采用TO-247封装，内置反并联快恢复二极管，具备低导通压降（VCE(sat) ≈ 2.0V @ IC=20A）和优良的开关性能。

其典型应用场景包括：  
1. 感应加热设备（如电磁炉、工业加热电源）——利用其高频开关能力（典型工作频率20–50 kHz）与低开关损耗实现高效能量转换；  
2. 不间断电源（UPS）与逆变器——在DC-AC逆变级中驱动电机或馈入电网，兼顾效率与可靠性；  
3. 光伏并网逆变器——适用于单相/三相逆变拓扑中的升压或逆变桥臂，满足高效率、高功率密度需求；  
4. 电机驱动系统（如变频空调压缩机、小型工业变频器）——支持SPWM或SVPWM调制，具备良好的短路耐受能力（10μs）；  
5. 电焊电源（MOSFET/IGBT混合方案中的主开关器件）——适应脉冲负载与瞬态过流工况。

该器件不适用于纯MOSFET场景（如高频DC-DC同步整流），亦非模块化设计，需配合合适驱动电路（如隔离型IGBT驱动IC）、散热设计及RC缓冲网络以确保长期稳定运行。

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