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  • 型号: HGTG27N60C3DR
  • 制造商: Harris
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供HGTG27N60C3DR由Harris设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HGTG27N60C3DR价格参考。HarrisHGTG27N60C3DR封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载HGTG27N60C3DR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有HGTG27N60C3DR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

HGTG27N60C3DR 是安森美(onsemi)推出的600V、27A高压IGBT单管,内置反并联快恢复二极管(FRD),采用TO-247AD封装。其典型应用场景包括:

1. 工业变频器与电机驱动:适用于中小功率(约1–3kW)三相逆变单元,驱动交流感应电机或永磁同步电机,凭借低导通压降(VCE(sat) ≈ 2.0V @ IC=27A)和优化的开关损耗,提升系统效率。

2. 不间断电源(UPS):用于在线式UPS的DC-AC逆变级,支持高频PWM调制(典型<20kHz),具备良好的短路耐受能力(10μs),保障系统可靠性。

3. 感应加热与电磁炉:适配谐振软开关拓扑(如LLC、串联谐振),其快速关断特性(tf ≈ 100ns)与低拖尾电流有助于减小开关损耗和EMI。

4. 光伏逆变器:在单相组串式逆变器的升压+逆变两级结构中,可作为逆变桥臂开关器件,满足高效率、高可靠性和宽温度范围(-40℃~175℃结温)要求。

5. 电焊机与APF有源滤波器:在中高频(10–50kHz)功率变换中,兼顾动态响应与热稳定性。

该器件不适用于纯MOSFET场景(如>100kHz硬开关DC-DC),亦非模块化设计,需外置驱动与保护电路(如负压关断、过流/过温检测)。选型时需注意栅极驱动电压(±20V)、米勒钳位及PCB散热设计。
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