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  • 型号: HGTD7N60C3
  • 制造商: Harris
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供HGTD7N60C3由Harris设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HGTD7N60C3价格参考。HarrisHGTD7N60C3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载HGTD7N60C3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有HGTD7N60C3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

HGTD7N60C3 是安森美(ON Semiconductor)推出的600V、7A高速沟槽型IGBT(绝缘栅双极型晶体管),内置快速软恢复反并联二极管,采用TO-247封装。其典型应用场景包括:

1. 开关电源(SMPS):适用于AC-DC适配器、服务器/通信电源中的PFC(功率因数校正)电路及主功率开关,凭借低导通损耗(VCE(sat) ≈ 1.8V @ IC=7A)和良好开关性能,兼顾效率与温升。

2. 感应加热与电磁炉:在高频谐振逆变电路中驱动加热线圈,其快速关断特性(tf ≈ 100ns)和抗dv/dt能力(≥50V/ns)可减少误触发,提升系统可靠性。

3. 电机驱动:用于中小功率(≤1kW)变频家电(如变频空调压缩机、洗衣机驱动)、工业风机/泵的逆变模块,支持15–30kHz开关频率,平衡效率与EMI。

4. UPS与光伏逆变器:在离网/混合逆变器的DC-AC级中作为桥臂开关,耐压裕量充足(600V),适合母线电压≤400V的应用场景。

该器件不适用于超高频(>100kHz)或大电流连续导通工况,但凭借安森美成熟的IGBT工艺,在中功率、高可靠性要求的工业与消费类电源领域具有成熟应用基础。
产品参数 图文手册 常见问题
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