【未分类_HGTD7N60B3S】封装/厂家_HGTD7N60B3S中文资料_价格

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详细数据请看参考数据手册

型号： HGTD7N60B3S
制造商： Harris
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供HGTD7N60B3S由Harris设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HGTD7N60B3S价格参考。HarrisHGTD7N60B3S封装/规格：未分类，暂无。您可以下载HGTD7N60B3S参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HGTD7N60B3S 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

HGTD7N60B3S 是安森美（onsemi）推出的高压超结MOSFET（非IGBT），采用TO-247AD封装，额定电压600V，连续漏极电流7A，具备低导通电阻（Rds(on)典型值0.75Ω）、快速开关特性及内置ESD保护。虽名称含“B3S”易被误读为IGBT，但其数据手册明确归类为N沟道增强型功率MOSFET。

典型应用场景包括：  
1. 开关电源（SMPS）：用于AC-DC适配器、PC电源、LED驱动电源的PFC（功率因数校正）升压电路或主功率开关级，凭借高效率与高频（可达100kHz以上）工作能力降低磁性元件体积；  
2. 工业电机驱动：适用于中小功率变频器、伺服驱动器中的逆变桥上管（需搭配续流二极管），尤其适合对开关损耗敏感的中频控制场合；  
3. 不间断电源（UPS）：在在线式UPS的DC-AC逆变环节承担高频斩波任务；  
4. 太阳能微逆变器与储能系统DC-DC变换器：满足高效率、高可靠性要求，配合同步整流提升整体能效。

注意：该器件不适用于硬开关大电流/低频（如<20kHz）IGBT主导场景（如焊机、大功率变频器主回路），亦不可直接替代IGBT——因其无电导调制效应，安全工作区（SOA）和短路耐受能力弱于同等级IGBT。设计时需重点关注栅极驱动强度、PCB布局寄生电感及热管理。

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