【未分类_HGTD3N60B3S】封装/厂家_HGTD3N60B3S中文资料_价格

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型号： HGTD3N60B3S
制造商： Harris
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供HGTD3N60B3S由Harris设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HGTD3N60B3S价格参考。HarrisHGTD3N60B3S封装/规格：未分类，暂无。您可以下载HGTD3N60B3S参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HGTD3N60B3S 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

HGTD3N60B3S 是 Harris Corporation（现已被Exar收购，后并入Maxim Integrated，最终归属Analog Devices）推出的一款高压、高速IGBT（绝缘栅双极型晶体管），采用TO-220AB封装，额定电压600V，典型集电极电流3A，内置续流二极管（即“S”后缀表示Standalone with co-packaged fast diode），具备低导通压降和优化的开关特性。

其主要应用场景包括：  
1. 中小功率开关电源：如AC-DC适配器、LED驱动电源、工业辅助电源等，用于PFC（功率因数校正）电路或主功率开关级；  
2. 电机控制：适用于小功率无刷直流（BLDC）电机驱动、风扇/泵类家电变频控制及自动化设备中的单相逆变桥臂；  
3. 电磁加热与感应加热：在中低频（20–50 kHz）谐振式加热电路中作为主开关器件；  
4. UPS与逆变器：用于后备式/在线互动式UPS的DC-AC逆变模块或电池升压环节；  
5. 工业控制与电源模块：集成于紧凑型电源模块或嵌入式功率板中，满足高可靠性、低成本需求。

需注意：该器件虽标称IGBT，但结构上更接近“场截止型（FS-IGBT）+快恢复二极管”，兼顾MOSFET的驱动易用性与双极器件的导通优势，适合对效率与成本敏感、开关频率在20–40 kHz范围内的中端应用。实际设计中应配合合适栅极驱动与散热措施以保障长期可靠性。

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