【未分类_HGTD3N60B3】封装/厂家_HGTD3N60B3中文资料_价格

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型号： HGTD3N60B3
制造商： Harris
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供HGTD3N60B3由Harris设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HGTD3N60B3价格参考。HarrisHGTD3N60B3封装/规格：未分类，暂无。您可以下载HGTD3N60B3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HGTD3N60B3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

HGTD3N60B3 是 Harris Corporation（现已被 Exar 公司收购，后并入 MaxLinear）推出的一款高压、高速 N 沟道 IGBT（绝缘栅双极型晶体管），内置续流二极管，采用 TO-220AB 封装。其额定电压为 600 V，典型集电极电流为 3 A（连续），具备低导通压降（VCE(sat) ≈ 1.8 V @ IC = 3 A）和快速开关特性。

该器件主要面向中低功率、高效率的开关电源与电机控制应用，典型应用场景包括：  
1. 中小功率开关电源（SMPS）：如工业适配器、LED 驱动电源、通信电源模块中的主开关管；  
2. 无刷直流（BLDC）电机驱动：用于家用电器（吸尘器、风扇、水泵）、电动工具等的单相或三相逆变桥臂；  
3. 电磁炉与感应加热设备：作为谐振变换器中的高频开关元件（适用于几十kHz工作频率）；  
4. UPS 与逆变器：在后备式/在线式不间断电源的 DC-AC 逆变级中承担功率转换任务；  
5. PFC（功率因数校正）电路：适用于临界导通模式（CRM）或连续导通模式（CCM）升压 PFC 级。

需注意：HGTD3N60B3 并非 MOSFET，而是带体二极管优化的 IGBT，兼具 MOSFET 的电压驱动特性和双极型器件的低导通损耗优势，适用于 20–100 kHz 中频段。设计时应合理配置门极驱动电阻与负压关断，以抑制米勒效应并确保可靠换流。  

（注：Harris Semiconductor 于2001年将分立功率器件业务出售给 Intersil，而 HGTD3N60B3 实际由 Intersil 生产并延续推广，后随 Intersil 被瑞萨电子收购；当前主流供货及资料归属瑞萨电子。）

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