【未分类_HGTD10N50F1S】封装/厂家_HGTD10N50F1S中文资料_价格

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型号： HGTD10N50F1S
制造商： Harris
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供HGTD10N50F1S由Harris设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HGTD10N50F1S价格参考。HarrisHGTD10N50F1S封装/规格：未分类，暂无。您可以下载HGTD10N50F1S参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HGTD10N50F1S 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

HGTD10N50F1S 是 Harris Corp.（现已被 L3Harris Technologies 收购）推出的一款高压、高速场截止型 IGBT（绝缘栅双极型晶体管），内置反并联快恢复二极管，采用 TO-247 封装。其额定参数为 500V 耐压、10A 连续电流（Tc=25℃），具备低导通压降（VCE(sat) ≈ 2.0V）和快速开关特性（典型关断时间约 100ns），适用于中等功率、高频硬开关场景。

典型应用场景包括：  
- 工业变频驱动：如小型电机驱动器、风机/水泵调速系统中的逆变桥臂下管；  
- 开关电源（SMPS）：用于 500W–2kW 级通信电源、服务器电源的PFC升压电路或主功率变换级；  
- 感应加热设备：在 20–50kHz 频段内实现高效能量转换；  
- UPS 不间断电源：在线式UPS逆变输出级，兼顾效率与动态响应；  
- 光伏微型逆变器与储能系统DC-AC模块：适配单相并网拓扑，满足高可靠性与温度稳定性要求（工作结温达175℃）。

该器件强调鲁棒性与短路耐受能力（典型tSC=2μs），适合需频繁启停或存在瞬态过载风险的工业环境。需配合优化驱动（如负压关断、合适栅极电阻）及散热设计以发挥最佳性能。注意：Harris 半导体业务已整合至 L3Harris，当前技术支持与供货由 L3Harris 提供。

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