Datasheet下载- 型号： HGT1S3N60A4DS9A
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HGT1S3N60A4DS9A由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HGT1S3N60A4DS9A价格参考。Fairchild SemiconductorHGT1S3N60A4DS9A封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载HGT1S3N60A4DS9A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HGT1S3N60A4DS9A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
HGT1S3N60A4DS9A 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款单N沟道MOSFET器件，属于功率MOSFET类别。该器件具有高耐压、低导通电阻和快速开关特性，适用于多种功率电子应用。 主要应用场景包括： 1. 电源转换器：如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、开关电源（SMPS）中，用于高效能电能转换。 2. 电机驱动：适用于无刷直流电机（BLDC）驱动、步进电机控制等工业自动化和家电领域。 3. 照明系统：用于LED驱动电源，特别是高亮度LED照明，提供稳定高效的电流控制。 4. 电池管理系统（BMS）：在电池充放电管理电路中作为开关元件使用，常见于电动工具、电动车和储能系统。 5. 消费电子产品：如笔记本电脑、平板电源管理模块中，用于提高能效和减小体积。 6. 工业控制：在工业自动化设备中的继电器替代、负载开关、逆变器等应用中表现优异。 该器件采用先进的Trench MOSFET技术，具备良好的热稳定性和高可靠性，适合在高频率和高效率要求的场合中使用。其封装形式为DFN5x6，具备良好的散热性能，适用于空间受限的设计。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 6ns/73ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 40A |
| 描述 | IGBT 600V 17A 70W D2PAK |
| 产品分类 | IGBT - 单路 |
| GateCharge | 21nC |
| IGBT类型 | - |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | HGT1S3N60A4DS9A |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| SwitchingEnergy | 37µJ （开）， 25µJ （关） |
| TestCondition | 390V, 3A, 50 欧姆, 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.7V @ 15V，3A |
| 供应商器件封装 | TO-263AB |
| 功率-最大值 | 70W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | 29ns |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 600V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 17A |
| 输入类型 | 标准 |
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