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- 型号： HGT1S20N36G3VL
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HGT1S20N36G3VL由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HGT1S20N36G3VL价格参考。Fairchild SemiconductorHGT1S20N36G3VL封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载HGT1S20N36G3VL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HGT1S20N36G3VL 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
HGT1S20N36G3VL 是安森美（ON Semiconductor）推出的高性能高压IGBT（绝缘栅双极型晶体管），采用TO-247-3L封装，额定电压3600 V、额定电流20 A（Tc=25°C），具备低导通压降（VCE(sat) ≈ 2.8 V @ IC=20A）、快速开关特性及内置反并联快恢复二极管（FRD），适用于高电压、中等功率的硬开关应用。 典型应用场景包括： ✅ 工业感应加热设备：如电磁灶、金属热处理电源，利用其高耐压与稳定开关性能实现高频（20–100 kHz）谐振逆变； ✅ 高压直流电源与PFC前端：在3 kV级工业UPS、医疗X光高压发生器或激光电源中，作为升压/整流级主开关器件； ✅ 电机驱动系统：适用于中高压（如690 VAC以上）变频器中的制动单元或辅助电源模块，尤其适合需高可靠性的恶劣工况（如矿用、风电变流辅助电路）； ✅ 固态继电器（SSR）与智能断路器：凭借高隔离耐压与雪崩鲁棒性，用于工业自动化中的高可靠性隔离控制与过流保护模块。 该器件不适用于高频（>200 kHz）或超低损耗软开关场景（如LLC谐振），但其3600 V耐压和增强型封装（G3VL含优化引线电感与热阻设计）使其在高dv/dt、高海拔、宽温域（−40°C ~ +150°C）工况下表现优异。选型时需配合优化驱动（如±15 V栅极电压、≥2 A峰值驱动能力）及合理散热设计。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | -/15µs |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | - |
| 描述 | IGBT 395V 37.7A 150W TO262AA |
| 产品分类 | IGBT - 单路 |
| GateCharge | 28.7nC |
| IGBT类型 | - |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | HGT1S20N36G3VL |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| SwitchingEnergy | - |
| TestCondition | 300V， 10A， 25欧姆， 5V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 1.9V @ 5V，20A |
| 供应商器件封装 | TO-262AA |
| 功率-最大值 | 150W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 标准包装 | 400 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 395V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 37.7A |
| 输入类型 | 逻辑 |
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