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型号： HGT1S20N35F3VLR4505
制造商： Harris
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供HGT1S20N35F3VLR4505由Harris设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HGT1S20N35F3VLR4505价格参考。HarrisHGT1S20N35F3VLR4505封装/规格：未分类，暂无。您可以下载HGT1S20N35F3VLR4505参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HGT1S20N35F3VLR4505 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

HGT1S20N35F3VLR4505 是一款由安森美（onsemi）推出的高性能高压IGBT（绝缘栅双极型晶体管），属于“晶体管 - IGBT、MOSFET - 单”类别（注：严格而言，该器件为IGBT，非MOSFET；名称中“IGBT、MOSFET”属广义分类标签）。其关键参数包括：耐压3500 V（3.5 kV）、额定集电极电流20 A（Tc=25°C），采用TO-247-3L封装，内置快速软恢复反并联二极管，具备低导通压降（VCE(sat) ≈ 2.3 V @ IC=20A）、高雪崩耐量及优化的开关特性。

典型应用场景包括：  
• 工业变频驱动系统（如大功率电机控制、起重机/电梯驱动），适用于690 VAC及以上中高压输入场合；  
• 可再生能源领域，如光伏逆变器（集中式/组串式）和风力发电变流器中的DC-AC逆变级；  
• 感应加热电源（如金属熔炼、热处理设备）中的高频谐振逆变电路；  
• 高压直流输电（HVDC）辅助电源、固态断路器及不间断电源（UPS）的主功率变换模块。  

该器件凭借高电压等级与良好鲁棒性，特别适用于需高可靠性、强过载能力及恶劣工况（如高温、高dv/dt）的工业级电力电子系统。注意：实际应用中需配合优化的驱动电路、散热设计及短路保护策略以充分发挥性能。

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