【未分类_HGT1S15N120C3S】封装/厂家_HGT1S15N120C3S中文资料_价格

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型号： HGT1S15N120C3S
制造商： Harris
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供HGT1S15N120C3S由Harris设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HGT1S15N120C3S价格参考。HarrisHGT1S15N120C3S封装/规格：未分类，暂无。您可以下载HGT1S15N120C3S参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HGT1S15N120C3S 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

HGT1S15N120C3S 是由安森美（onsemi）推出的高压超结MOSFET（非IGBT），采用TO-247封装，额定电压1200 V，连续漏极电流15 A，典型导通电阻Rds(on)约0.55 Ω（Vgs=15 V），具备快速开关、低开关损耗和优异的dv/dt耐受能力。

其主要应用场景包括：  
• 工业电机驱动：用于变频器、伺服驱动器中的逆变桥臂，适配中高功率（约5–15 kW）三相电机控制；  
• 新能源发电系统：在光伏组串式逆变器、储能双向DC/AC变换器中承担高频DC-AC转换，支持1200 V直流母线电压；  
• 感应加热与电磁炉电源：作为谐振变换器（如LLC、串联谐振）主开关器件，利用其高速开关特性提升能效与功率密度；  
• 高压DC-DC变换器：如电动汽车车载充电机（OBC）或通信电源中的升压/隔离级，满足高效率、高可靠性要求；  
• 不间断电源（UPS）：在线式UPS逆变输出级，兼顾高电压应力与热稳定性。

该器件内置优化体二极管，具备一定反向恢复鲁棒性，但不推荐用于硬换流反向续流场景；建议搭配专用高压栅极驱动IC（如NCV5170）并注意PCB布局以抑制EMI。适用于工作结温范围–40°C 至 +150°C的严苛工业环境。

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