【未分类_HGT1S12N60C3】封装/厂家_HGT1S12N60C3中文资料_价格

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型号： HGT1S12N60C3
制造商： Harris
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供HGT1S12N60C3由Harris设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HGT1S12N60C3价格参考。HarrisHGT1S12N60C3封装/规格：未分类，暂无。您可以下载HGT1S12N60C3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HGT1S12N60C3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

HGT1S12N60C3是Harris Corp.（现已被L3Harris Technologies收购）推出的一款高压超结MOSFET（非IGBT），采用TO-247封装，额定电压600V、连续漏极电流12A，具备低导通电阻（Rds(on)典型值0.55Ω）、快速开关特性及优异的体二极管反向恢复性能。

其典型应用场景包括：  
1. 开关电源（SMPS）：适用于AC-DC适配器、服务器/通信电源、工业电源中的PFC（功率因数校正）电路和主功率开关级，提升效率与功率密度；  
2. 不间断电源（UPS）：在在线式UPS逆变输出级中承担高频斩波与能量转换任务；  
3. 电机驱动控制：用于中小功率变频器、风机/泵类调速系统中的逆变桥臂开关元件；  
4. LED驱动电源：满足高效率、高可靠性要求的中大功率恒流驱动方案；  
5. 光伏逆变器辅助电路：如DC-DC升压级或辅助电源模块中的主开关器件。

需注意：该器件为增强型N沟道MOSFET，非IGBT（尽管部分资料误标为“IGBT/MOSFET单管”，实为高性能超结MOSFET），因此更适合20–100kHz中高频应用，不适用于超大电流低频硬开关场景。设计时应重视栅极驱动保护、PCB布局散热及dv/dt抑制，以充分发挥其快速开关与低损耗优势。

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