【未分类_HG24N60D1D】封装/厂家_HG24N60D1D中文资料_价格

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型号： HG24N60D1D
制造商： Harris
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供HG24N60D1D由Harris设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HG24N60D1D价格参考。HarrisHG24N60D1D封装/规格：未分类，暂无。您可以下载HG24N60D1D参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HG24N60D1D 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

HG24N60D1D 是 Harris Corp.（现已被 L3Harris 收购）推出的一款 600V、24A 的超结（Super Junction）高压功率 MOSFET，采用 TO-247 封装，内置快速恢复体二极管（D1D 后缀表明集成低 Qrr 快恢复二极管），适用于高频硬开关与软开关拓扑。

其典型应用场景包括：  
- 工业电源：如通信基站电源、服务器 PSU、PLC 电源模块中的 PFC（功率因数校正）升压电路，凭借高电压额定值与低导通电阻（Rds(on) ≈ 0.22Ω），可提升效率并减小散热需求；  
- 电机驱动：用于中小功率变频器、伺服驱动器的逆变桥上管或下管，体二极管优异的反向恢复特性（低 Qrr、软恢复）可显著降低换流损耗与EMI；  
- 新能源设备：光伏微型逆变器、储能系统DC-DC变换器中的高频DC/AC或DC/DC级，支持65–100kHz开关频率；  
- 感应加热与电磁炉：作为谐振逆变主开关器件，在LLC或串联谐振拓扑中实现零电压开关（ZVS）优化。

该器件不属IGBT，而是增强型N沟道MOSFET，兼具高耐压、快速开关与强抗dv/dt能力，适用于对效率、可靠性及紧凑设计有较高要求的中高功率（约1–3kW）应用。需注意其栅极驱动电压推荐为10–15V，避免超过20V以防损伤。

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