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- 型号： H5N5011PL-E
- 制造商： RNS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供H5N5011PL-E由RNS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 H5N5011PL-E价格参考。RNSH5N5011PL-E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载H5N5011PL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有H5N5011PL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
H5N5011PL-E 是瑞萨电子（Renesas Electronics America Inc.）推出的高性能N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-220FP封装，具备500V耐压、11A连续漏极电流（Tc=25℃）、低导通电阻（Rds(on)典型值仅0.48Ω）及优化的开关特性。其主要应用场景包括： - 工业电源系统：如开关电源（SMPS）、AC-DC适配器、服务器/通信设备的辅助电源模块，适用于高频硬开关或软开关拓扑（如反激、LLC谐振），兼顾效率与热管理。 - 电机驱动控制：用于中小功率无刷直流（BLDC）电机驱动的上/下桥臂开关，尤其适合家电（如变频空调压缩机、洗衣机主驱）、工业风机与泵类负载的PWM调速控制。 - 照明电子镇流器与LED驱动：在高压LED恒流驱动电路中作为主开关管，支持高功率因数校正（PFC）前级或隔离式反激/准谐振（QR）拓扑。 - 电池管理系统（BMS）与电源保护：可作为高压侧负载开关或过流保护器件，配合驱动IC实现快速关断与故障响应。 该器件内置ESD保护与雪崩耐量（EAS=190mJ），可靠性高；TO-220FP封装带绝缘底板，便于散热安装且满足电气隔离需求，适用于对安全性与长期稳定性要求较高的工业及消费类应用。
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