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详细数据请看参考数据手册
- 型号： H5N2007FN-E
- 制造商： RNS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供H5N2007FN-E由RNS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 H5N2007FN-E价格参考。RNSH5N2007FN-E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载H5N2007FN-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有H5N2007FN-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
RNS品牌下的H5N2007FN-E是一款N沟道增强型高压MOSFET（单管），主要参数典型值为：VDSS = 200 V，ID（连续）≈ 7 A，RDS(on) ≈ 0.35 Ω（@ VGS = 10 V），采用TO-220F或类似封装（具体以官方数据手册为准）。 该器件适用于中功率开关应用，典型应用场景包括： ✅ 开关电源（SMPS）：如AC-DC适配器、LED驱动电源、工业电源中的主/次级侧开关或同步整流； ✅ 电机控制：小型直流无刷电机（BLDC）或步进电机的H桥驱动单元中的上/下桥臂开关； ✅ LED照明系统：大功率LED恒流驱动电路中的PWM调光开关或过流保护开关； ✅ 逆变与电源管理模块：如UPS、光伏微逆变器辅助电源、电池管理系统（BMS）中的充放电保护开关； ✅ 工业控制设备：PLC输出模块、电磁阀/继电器驱动、电热控制等需要200V耐压及数安培通流能力的场合。 其较低的导通电阻与适中的电压/电流等级，在效率、散热与成本间取得较好平衡，适合对可靠性与性价比有要求的中端工业及消费类电子应用。使用时需注意栅极驱动电压匹配（推荐10 V驱动以确保充分导通）、PCB散热设计及反向感性负载的续流保护（建议配接续流二极管或RC吸收网络）。实际选型请务必参考RNS官方发布的最新规格书及应用笔记。
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