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Datasheet下载- 型号： H11D3M
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供H11D3M由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 H11D3M价格参考。Fairchild SemiconductorH11D3M封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载H11D3M参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有H11D3M 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
H11D3M 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款光隔离器，属于晶体管输出型光电耦合器。它常用于需要电气隔离的电路中，以实现信号传输的同时隔离高压或不同电位部分，保障电路和人员安全。 该器件主要应用于以下场景： 1. 工业自动化控制：用于PLC（可编程逻辑控制器）、继电器驱动电路、传感器信号隔离等场合，防止高电压干扰或损坏控制系统。 2. 电源管理系统：在开关电源、DC-DC转换器、UPS（不间断电源）中作为反馈信号隔离元件，确保主电路与控制电路之间的安全隔离。 3. 电机控制与变频器：用于隔离控制信号与高电压电机驱动部分，提升系统稳定性和安全性。 4. 通信设备：在通信模块中用于隔离不同电位系统之间的信号传输，减少噪声干扰。 5. 医疗电子设备：用于患者监护仪、诊断设备等对安全要求较高的场合，实现信号隔离以满足医疗安全标准。 H11D3M具备较高的隔离电压能力，响应速度快，适用于中低速信号隔离应用，是一款性价比高、可靠性强的通用型光耦器件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 隔离器半导体 |
| 描述 | OPTOISO 7.5KV TRANS W/BASE 6DIP晶体管输出光电耦合器 Hi Volt Phototrans |
| 产品分类 | 光隔离器 - 晶体管，光电输出集成电路 - IC |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 光耦合器/光电耦合器,晶体管输出光电耦合器,Fairchild Semiconductor H11D3M- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | H11D3M |
| Vce饱和值（最大值） | 400mV |
| 上升/下降时间（典型值） | - |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 晶体管输出光电耦合器 |
| 供应商器件封装 | 6-DIP |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 855 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | 6-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 封装/箱体 | PDIP-6 |
| 工作温度 | -40°C ~ 100°C |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 打开/关闭时间（典型值） | 5µs， 5µs |
| 最大功率耗散 | 300 mW |
| 最大反向二极管电压 | 6 V |
| 最大工作温度 | + 100 C |
| 最大正向二极管电压 | 1.5 V |
| 最大输入二极管电流 | 80 mA |
| 最大集电极/发射极电压 | 200 V |
| 最大集电极/发射极饱和电压 | 0.4 V |
| 最大集电极电流 | 100 mA |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 标准包装 | 1,000 |
| 正向电流 | 10 mA |
| 每芯片的通道数量 | 1 Channel |
| 电压-正向(Vf)（典型值） | 1.15V |
| 电压-输出（最大值） | 200V |
| 电压-隔离 | 7500Vpk |
| 电流-DC正向(If) | 80mA |
| 电流-输出/通道 | 100mA |
| 电流传输比（最大值） | - |
| 电流传输比（最小值） | 20% @ 10mA |
| 电流传递比 | 20 % |
| 系列 | H11D3M |
| 绝缘电压 | 7500 Vrms |
| 输入类型 | DC |
| 输出类型 | DC |
| 输出设备 | NPN Phototransistor |
| 通道数 | 1 |
| 配置 | 1 Channel |
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