Datasheet下载- 型号： GWM160-0055X1-SLSAM
- 制造商： IXYS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供GWM160-0055X1-SLSAM由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 GWM160-0055X1-SLSAM价格参考。IXYSGWM160-0055X1-SLSAM封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载GWM160-0055X1-SLSAM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有GWM160-0055X1-SLSAM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的GWM160-0055X1-SLSAM是一款MOSFET阵列器件，主要应用于需要高效功率开关的场合。该器件由多个MOSFET集成在一个封装中，具备高集成度、低导通电阻和快速开关特性，适用于电源管理、电机驱动、DC-DC转换器、逆变器以及工业自动化设备中的功率控制模块。此外，它还可用于新能源领域，如太阳能逆变器、储能系统和电动汽车充电设备中的功率转换部分。其高可靠性和耐高温性能使其在工业级和汽车级应用中表现出色。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | IC FULL BRIDGE 3PH ISOPLUS STRT |
| 产品分类 | FET - 模块 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | 6 N-沟道（3 相桥） |
| 品牌 | IXYS |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | GWM160-0055X1-SLSAM |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 105nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.3 毫欧 @ 100A，10V |
| 供应商器件封装 | ISOPLUS-DIL™ |
| 其它名称 | GWM160-0055X1-SL SAM |
| 功率-最大值 | - |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 17-SMD，扁平引线 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 150A |
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