Datasheet下载- 型号： GI751-E3/73
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供GI751-E3/73由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 GI751-E3/73价格参考。VishayGI751-E3/73封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载GI751-E3/73参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有GI751-E3/73 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Semiconductor Diodes Division 的型号 GI751-E3/73 是一款二极管 - 整流器 - 单类型的产品，属于高性能整流二极管。以下是其主要应用场景： 1. 电源整流 - GI751-E3/73 可用于将交流电（AC）转换为直流电（DC）的电路中，例如开关电源（SMPS）、线性电源和适配器。 - 其高电流处理能力和低正向压降特性使其适合于需要高效整流的应用。 2. 电机驱动与控制 - 在电机驱动电路中，该二极管可用于整流和续流路径，确保电机运行时的电流平稳。 - 常见于工业自动化设备、家用电器（如空调、洗衣机）以及电动工具中。 3. 太阳能逆变器 - 在太阳能发电系统中，该二极管可用于直流到直流（DC-DC）或直流到交流（DC-AC）转换电路中的整流部分。 - 其高效能和可靠性能够满足太阳能系统对能量转换效率的要求。 4. 不间断电源（UPS） - GI751-E3/73 能够在 UPS 系统中用于输入整流或电池充电电路，确保系统稳定运行。 - 其高可靠性和耐用性使其非常适合长时间工作的 UPS 设备。 5. 汽车电子 - 在汽车电子领域，该二极管可用于发电机整流桥、车载充电器和其他高压整流应用。 - 其抗浪涌能力和高温稳定性使其特别适合恶劣的汽车环境。 6. 工业设备 - 适用于工业设备中的功率转换模块，例如焊接机、电镀设备和高频加热装置。 - 其大电流承载能力能够满足高功率工业设备的需求。 特性总结： - 额定电流：高达 10A（具体取决于封装和工作条件）。 - 反向电压：支持高反向电压（通常为几百伏），适合高压应用。 - 低正向压降：减少功率损耗，提高效率。 - 快速恢复特性：适合高频开关应用。 总之，GI751-E3/73 是一款性能优异的整流二极管，广泛应用于电力电子、工业控制、汽车电子和可再生能源等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE GEN PURPOSE 100V 6A P600整流器 6 Amp 100 Volt 400 Amp IFSM |
| 产品分类 | 单二极管/整流器分离式半导体 |
| 品牌 | Vishay Semiconductor Diodes DivisionVishay Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,整流器,Vishay Semiconductors GI751-E3/73- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | GI751-E3/73GI751-E3/73 |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 6A |
| 不同 Vr、F时的电容 | 150pF @ 4V，1MHz |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 5µA @ 100V |
| 二极管类型 | 标准 |
| 产品 | Standard Recovery Rectifiers |
| 产品种类 | 整流器 |
| 供应商器件封装 | P600 |
| 包装 | 带盒（TB） |
| 反向恢复时间(trr) | 2.5µs |
| 反向电压 | 100 V |
| 反向电流IR | 5 uA |
| 商标 | Vishay Semiconductors |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Ammo Pack |
| 封装/外壳 | P600，轴向 |
| 封装/箱体 | P600 |
| 工作温度-结 | -50°C ~ 150°C |
| 工厂包装数量 | 300 |
| 恢复时间 | 2500 ns |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大浪涌电流 | 400 A |
| 最小工作温度 | - 50 C |
| 标准包装 | 300 |
| 正向电压下降 | 1.25 V at 100 A |
| 正向连续电流 | 6 A |
| 电压-DC反向(Vr)（最大值） | 100V |
| 电流-平均整流(Io) | 6A |
| 速度 | 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） |
| 配置 | Single |
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