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- 型号： FZT755TC
- 制造商： Diodes Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FZT755TC由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FZT755TC价格参考。Diodes Inc.FZT755TC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FZT755TC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FZT755TC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FZT755TC 是 Diodes Incorporated 推出的一款 PNP 型中功率双极结型晶体管（BJT），采用 SOT-223 封装，具备高增益（hFE 典型值达 400@IC=500mA）、低饱和压降（VCE(sat) ≈ 0.35V@IC=1A, IB=50mA）及 2A 连续集电极电流能力，适用于中等功率开关与线性放大场景。 典型应用场景包括： 1. 电源管理：用作低压差稳压器（LDO）的调整管、DC-DC 转换器中的开关或驱动级； 2. 电机/负载控制：驱动小型直流电机、继电器、LED 阵列或电磁阀等感性负载（需配合续流二极管）； 3. 工业控制接口：在 PLC 模块、传感器信号调理电路中实现电平转换、电流放大或反相开关功能； 4. 消费电子电源电路：如充电器、适配器中的次级侧稳压或过流保护开关； 5. 模拟电路：在音频前级、恒流源或温度补偿电路中作为线性工作区放大器件（需注意功耗与散热）。 其 SOT-223 封装兼顾一定散热能力与贴片兼容性，适合空间受限但需可靠中功率性能的设计。使用时需确保基极驱动充足、PCB 散热设计合理（尤其在连续导通或大电流下），并注意避免二次击穿风险。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR PNP MED PWR SOT223 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FZT755TC |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 500mV @ 200mA，1A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 50 @ 500mA，5V |
| 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 晶体管类型 | PNP |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 150V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 1A |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 频率-跃迁 | 30MHz |
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