Datasheet下载- 型号： FZT1147ATA
- 制造商： Diodes Inc.
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FZT1147ATA由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FZT1147ATA价格参考。Diodes Inc.FZT1147ATA封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FZT1147ATA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FZT1147ATA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FZT1147ATA 是 Diodes Incorporated 推出的 NPN 型高电压、高增益达林顿晶体管（Darlington Transistor），采用 SOT-223 封装。其典型应用包括： - 中功率开关控制：适用于继电器驱动、电磁阀控制、LED/灯组调光与开关等，可直接由微控制器（如MCU、PIC、ARM GPIO）驱动，因高直流电流增益（hFE ≥ 1000 @ IC = 500mA）大幅降低前级驱动电流需求。 - 线性稳压与电源管理：常用于低压差（LDO）稳压器的调整管、过流保护电路或电子保险丝（eFuse）中的电流检测与关断单元。 - 电机驱动：适配小型直流电机（如风扇、打印机走纸机构）的启停与正向调速（需配合PWM及续流二极管）。 - 工业与汽车电子：满足AEC-Q101认证（注：需确认具体批次是否通过；标准版FZT1147ATA为工业级，部分版本支持车规），可用于车身控制模块（BCM）、座椅调节、HVAC风门执行器等对可靠性要求较高的场景。 该器件最大集电极-发射极电压 VCEO 达 100V，连续集电极电流 IC 为 2A，具备内置基极-发射极电阻（RBE = 2.2kΩ），简化外围电路设计，提升系统集成度与稳定性。 注意：不适用于高频开关（f > 100kHz）或射频应用；使用时需注意散热（SOT-223需敷铜散热）及二次击穿风险。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PNP -12V -5000MA SOT-223两极晶体管 - BJT PNP -12V VCEO 5A High Gain Med PWR |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated FZT1147ATA- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FZT1147ATA |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 400mV @ 50mA，5A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 250 @ 500mA，2V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 其它名称 | FZT1147ATR |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | - 5 V |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 增益带宽产品fT | 115 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 封装/箱体 | SOT-223 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 2.5 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 5 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 12V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 5A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA |
| 直流电流增益hFE最大值 | 270 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 270 at 10 mA at 2 V, 250 at 0.5 A at 2 V, 200 at 2 A at 2 V, 150 at 5 A at 2 V, 90 at 10 A at 2 V |
| 系列 | FZT1147A |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 12 V |
| 集电极—基极电压VCBO | - 15 V |
| 集电极—射极饱和电压 | - 250 mV |
| 集电极连续电流 | - 5 A |
| 频率-跃迁 | 115MHz |
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