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- 型号： FW907-TL-E
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FW907-TL-E由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FW907-TL-E价格参考。ON SemiconductorFW907-TL-E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FW907-TL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FW907-TL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FW907-TL-E 是由 ON Semiconductor（安森美）推出的双通道 N 沟道增强型 MOSFET 阵列（采用 SOT-23-6 封装），具有低导通电阻（Rds(on) ≈ 180 mΩ @ Vgs=4.5V）、高开关速度和紧凑集成设计。其典型应用场景包括： 1. 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS耳机、智能手表中的负载开关与电池保护电路，用于控制外设供电通断，降低待机功耗； 2. DC-DC 转换器同步整流：在升压/降压（Boost/Buck）拓扑中，作为高效同步整流管，替代肖特基二极管，提升转换效率（尤其在1–5V低压输入场景）； 3. LED 驱动与背光控制：用于中小尺寸 LCD/OLED 显示屏的背光调光或区域控光，支持PWM高频开关； 4. 接口保护与电平转换：配合逻辑电路实现I²C、USB等信号线的双向电平位移或过流隔离； 5. 电机驱动辅助电路：在微型直流电机（如振动马达、风扇）的H桥驱动中，用作半桥上/下臂开关，适用于小电流（<500mA）场合。 该器件工作电压范围宽（-0.5V 至 20V），ESD防护能力强（HBM ≥ 2kV），适合空间受限、强调能效与可靠性的消费类及工业嵌入式系统。注意：实际应用中需确保栅极驱动电压满足阈值要求（Vgs(th)典型值1.0–2.2V），并合理布局PCB以抑制寄生振荡。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N/P-CH 30V 10A 8SOP |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | N 和 P 沟道 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FW907-TL-E |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1000pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 17nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 17 毫欧 @ 10A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SOP |
| 功率-最大值 | 2.3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 10A |
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