图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FW906-TL-E由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FW906-TL-E价格参考。ON SemiconductorFW906-TL-E封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FW906-TL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FW906-TL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FW906-TL-E 是安森美(ON Semiconductor)推出的双通道N沟道增强型MOSFET阵列,采用TSOP-6封装,具有低导通电阻(Rds(on)典型值约28 mΩ @ Vgs=4.5V)、高开关速度及紧凑尺寸等特点。其典型应用场景包括: 1. 便携式电子设备电源管理:如智能手机、平板电脑中的负载开关、电池保护电路或USB端口电源控制,双MOSFET结构可分别用于主电源路径与背光/外围供电的独立控制。 2. DC-DC转换器同步整流:在降压(Buck)转换器中作为同步整流管(下管),提升能效(尤其在1–5A中等电流范围),降低发热,适用于快充模块、PMIC周边电路。 3. 电机驱动与LED驱动:用于小型直流电机(如振动马达、风扇)的H桥半桥驱动,或RGB LED的PWM调光控制,双通道支持互补或独立驱动。 4. 接口保护与热插拔电路:配合限流/过压保护IC,实现USB、SATA等接口的浪涌抑制和安全插拔。 该器件工作电压范围宽(±20V Vgs,20V Vds),具备ESD防护(HBM >2kV),适合空间受限、强调效率与可靠性的中低功率嵌入式系统。需注意PCB布局时优化散热路径,并确保栅极驱动信号干净以避免振荡。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N/P-CH 30V 8A 8SOP |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | N 和 P 沟道 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FW906-TL-E |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 690pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 12nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 24 毫欧 @ 8A,10V |
| 供应商器件封装 | 8-SOP |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.173",4.40mm 宽) |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 8A,6A |