【未分类_FST8360M】封装/厂家_FST8360M中文资料_价格

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型号： FST8360M
制造商： GENESIC SEMI
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供FST8360M由GENESIC SEMI设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FST8360M价格参考。GENESIC SEMIFST8360M封装/规格：未分类，暂无。您可以下载FST8360M参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FST8360M 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FST8360M 是 GeneSiC Semiconductor 推出的一款高性能碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管（SBD）阵列，采用双共阴极（Dual Common-Cathode）结构，额定电压为650 V，正向电流（IF(AV)）达8 A（每单元），具有零反向恢复电荷（Qrr ≈ 0）、低正向压降（VF ≈ 1.5 V @ 8 A）及优异的高温稳定性（工作结温最高175°C）。

其典型应用场景包括：  
1. 高频开关电源（如服务器/通信电源、5G基站电源）：利用SiC器件的高速开关特性，显著降低开关损耗，提升效率（>96%）与功率密度；  
2. PFC（功率因数校正）电路：作为升压PFC整流级核心器件，替代传统硅快恢复二极管（FRD），消除反向恢复引起的EMI与损耗，支持连续导通模式（CCM）下更高频率（≥100 kHz）运行；  
3. 工业电机驱动与UPS系统：在逆变器输出端或辅助电源整流中提供高效、可靠的续流/整流路径，增强系统热管理能力与可靠性；  
4. 新能源领域：适用于光伏微型逆变器、储能系统（ESS）双向AC/DC变换器中的高频整流环节，提升转换效率并减小散热器体积。

该器件采用表面贴装（TO-263-3L）封装，兼容自动化生产，适用于对效率、尺寸、可靠性和高温性能要求严苛的中高功率（300–2000 W）电力电子系统。

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