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- 型号： FSS173-TL-E
- 制造商： SANYO Semiconductor Company
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FSS173-TL-E由SANYO Semiconductor Company设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FSS173-TL-E价格参考。SANYO Semiconductor CompanyFSS173-TL-E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FSS173-TL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FSS173-TL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FSS173-TL-E 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款N沟道增强型射频MOSFET，专为高频、低功耗开关应用优化。其典型应用场景包括： - 便携式无线设备中的天线开关：如智能手机、平板电脑的LTE/Wi-Fi/蓝牙多模天线切换，利用其低导通电阻（RDS(on) ≈ 1.2Ω @ VGS=4.5V）和快速开关特性（tON/tOFF < 20ns），实现高效信号路径选择； - 射频前端模块（RF FEM）中的T/R（收发）切换：在小型化射频收发系统中作为发射通路隔离或接收通路保护开关； - 无线通信子系统中的负载开关与电源门控：用于动态控制射频功率放大器（PA）、低噪声放大器（LNA）等模块的供电，降低待机功耗； - ISM频段（如2.4GHz、5.8GHz）短距离无线应用：如Zigbee、Wi-SUN、无线传感器节点中的射频信号路由。 该器件采用超小型SOT-363（SC-70）封装，尺寸仅2.0×2.1×0.9mm，支持高密度PCB布局；具备±8kV HBM ESD防护能力，提升系统可靠性；工作电压范围1.8V–5.5V，兼容低压逻辑电平，适合电池供电设备。需注意：FSS173-TL-E为开关型射频MOSFET，非功率放大用途，不适用于大电流连续射频放大场景。
产品参数
图文手册
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