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- 型号： FSS172-TL-E
- 制造商： SANYO Semiconductor Company
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FSS172-TL-E由SANYO Semiconductor Company设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FSS172-TL-E价格参考。SANYO Semiconductor CompanyFSS172-TL-E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FSS172-TL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FSS172-TL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FSS172-TL-E 是安森美（ON Semiconductor）推出的高性能射频N沟道MOSFET，专为高频、小信号射频开关应用优化。其典型应用场景包括：智能手机与平板电脑中的天线调谐与多模多频（MMMB）前端模块，用于切换不同频段（如LTE/WCDMA/5G NR的700 MHz–3.8 GHz）；Wi-Fi 6/6E（2.4 GHz / 5 GHz / 6 GHz）和蓝牙共存系统中的射频路径开关；以及物联网设备、可穿戴终端中的低功耗射频前端开关。该器件采用超小型TSOP-6封装，具备低导通电阻（RON ≈ 0.45 Ω @ VGS=2.7 V）、高关断隔离度（>30 dB @ 2.5 GHz）、快速开关时间（tON/tOFF < 15 ns），并支持1.8 V逻辑兼容控制，适用于电池供电设备。此外，其高线性度（IIP3 > 60 dBm @ 2.1 GHz）和低插入损耗（<0.4 dB @ 2.5 GHz）使其适用于对信号保真度要求严苛的发射/接收路径切换场景。不适用于大功率放大或高电压DC-DC转换等非射频开关用途。
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