【未分类_FS150R07N3E4】封装/厂家_FS150R07N3E4中文资料_价格

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型号： FS150R07N3E4
制造商： Infineon
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供FS150R07N3E4由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FS150R07N3E4价格参考。InfineonFS150R07N3E4封装/规格：未分类，暂无。您可以下载FS150R07N3E4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FS150R07N3E4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FS150R07N3E4 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的高性能IGBT模块（实际为62mm封装的半桥IGBT模块，含反并联二极管），属于“IGBT单管”类别（注：严格而言其为双单元半桥模块，但常被归类于高功率单通道开关器件应用）。该器件额定参数为150A / 650V，采用第三代TRENCHSTOP™ IGBT与EDT（Emitter Controlled Diode）技术，具备低导通压降（VCE(sat) ≈ 1.7 V @ 150 A）、快速开关、高短路耐受能力（10 µs）及优异的温度稳定性。

主要应用场景包括：  
- 工业变频驱动：如中大型伺服驱动器、PLC控制电机系统；  
- 不间断电源（UPS）：三相在线式UPS的逆变级，支持高效、低谐波输出；  
- 太阳能光伏逆变器：适用于集中式或组串式逆变器的升压/逆变级（需搭配合适拓扑与驱动）；  
- 感应加热与焊接电源：高频、高动态响应要求下实现精准功率控制；  
- 电动汽车车载充电机（OBC）与DC-DC变换器（在部分大功率平台中用于高压侧开关）。

其优化的开关损耗与坚固的SOA特性，特别适合中高频（典型16–32 kHz）、高可靠性、连续重载运行的工业电力电子系统。使用时需配合专业栅极驱动（如1ED020I12-F2）、精确温度监控及低感母排设计以发挥最佳性能。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
品牌	Infineon Technologies
产品目录	半导体
描述	IGBT 模块 IGBT Module 150A 650V
产品分类	分离式半导体
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS
产品系列	晶体管,IGBT 模块,Infineon Technologies FS150R07N3E4
mouser_ship_limit	该产品可能需要其他文件才能进口到中国。
产品型号	FS150R07N3E4
产品	IGBT Silicon Modules
产品种类	IGBT 模块
功率耗散	430 W
商标	Infineon Technologies
在25C的连续集电极电流	150 A
安装风格	Screw
工厂包装数量	10
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 40 C
栅极/发射极最大电压	+/- 20 V
栅极—射极漏泄电流	400 nA
集电极—发射极最大电压VCEO	650 V
集电极—射极饱和电压	1.95 V