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  • 型号: FR16DR05
  • 制造商: GENESIC SEMI
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FR16DR05由GENESIC SEMI设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FR16DR05价格参考。GENESIC SEMIFR16DR05封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FR16DR05参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FR16DR05 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FR16DR05 是 GeneSiC Semiconductor 推出的一款碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管(SBD),属于“二极管 - 整流器 - 单”类别。其额定电压为650 V(D系列中“05”通常对应650 V),额定正向电流为16 A,采用TO-247封装,具备零反向恢复电荷(Qrr ≈ 0)、低正向压降(Vf ≈ 1.5 V @ 16 A)、高开关速度及优异高温稳定性(可连续工作于175°C结温)等SiC典型优势。

主要应用场景包括:  
1. 高频开关电源(如服务器/通信电源、5G基站电源):替代传统硅快恢复二极管(FRD)或Si IGBT的续流二极管,显著降低开关损耗与EMI,提升效率(>98%)和功率密度;  
2. 光伏逆变器与储能系统(PCS):用于升压级(Boost)或逆变桥臂反并联续流,耐受高dv/dt与恶劣工况,提高MPPT效率与系统可靠性;  
3. 工业电机驱动与UPS:在PFC电路或逆变输出端提供高效整流/续流,减少散热设计负担;  
4. 车载充电机(OBC)与DC-DC变换器:满足AEC-Q101车规级可靠性要求(该型号具备相应认证),支持高功率密度、轻量化设计。

需注意:FR16DR05为单极性器件,不可承受反向雪崩,设计中须确保不超最大反向电压(650 V),并配合合理RC缓冲与布局以抑制电压尖峰。
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