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  • 型号: FQU2N60CTLTU
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FQU2N60CTLTU由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQU2N60CTLTU价格参考。Fairchild SemiconductorFQU2N60CTLTU封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FQU2N60CTLTU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQU2N60CTLTU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FQU2N60CTLTU 是 Fairchild Semiconductor(现属安森美半导体 ON Semiconductor)推出的一款N沟道增强型高压功率MOSFET,采用TO-220F封装(全绝缘、无散热片外露),额定参数为600V耐压、2A连续漏极电流(Tc=25℃)、Rds(on)典型值约3.6Ω(Vgs=10V)。  

其主要应用场景包括:  
- 中小功率开关电源(SMPS):如AC-DC适配器、LED驱动电源、辅助电源中的主开关管或PFC后级开关;  
- 离线式电源系统:适用于反激(Flyback)、正激(Forward)等拓扑中,承担高频(数十kHz至百kHz级)高压开关功能;  
- 电机控制:用于小功率直流无刷电机(BLDC)或步进电机的驱动电路中作为功率开关;  
- 家电与工业控制:如电磁炉、电饭煲、智能电表、继电器替代电路等需600V耐压、中低电流切换的场合;  
- LED照明恒流驱动:在隔离/非隔离降压或线性调光方案中作主控开关。  

该器件具备良好的雪崩耐受能力、快速开关特性(td(on)/td(off)约25ns/80ns)及较低栅极电荷(Qg≈7.5nC),适合高效率、高可靠性设计。TO-220F封装便于PCB安装且满足基本绝缘要求,但需注意散热设计以保障长期稳定运行。  

(注:Fairchild品牌已于2016年被ON Semiconductor收购,该型号现由ON Semiconductor持续供货并兼容原规格。)
产品参数 图文手册 常见问题
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