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- 型号： FQPF1N60
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQPF1N60由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQPF1N60价格参考。Fairchild SemiconductorFQPF1N60封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQPF1N60参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQPF1N60 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQPF1N60 是 Fairchild Semiconductor（现属ON Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-220F（绝缘封装）或TO-220（非绝缘）封装，主要参数为：600V耐压、1.3A连续漏极电流（Tc=25℃）、Rds(on)典型值约11Ω（Vgs=10V），具备快速开关特性和内置体二极管。 其典型应用场景包括： 1. 小功率开关电源（SMPS）：如手机充电器、LED驱动电源、适配器中的主开关管（反激式拓扑），适用于≤15W输出功率场合； 2. LED照明控制：用于隔离/非隔离LED恒流驱动电路的初级侧开关； 3. 家电辅助电源：空调、洗衣机等设备中待机电源（Standby PSU）或PFC后级DC-DC转换； 4. 工业控制模块：继电器替代、电磁阀/小型电机的低频PWM驱动（因开关速度适中，不适用于高频谐振拓扑）； 5. 电子镇流器与荧光灯驱动：作为半桥逆变开关元件。 需注意：该器件Rds(on)较高、电流能力有限，不适用于大功率（>20W）或高效率要求严苛场景；设计时应确保足够栅极驱动电压（≥10V）以降低导通损耗，并配合合理散热（尤其在连续导通模式下）。现已逐步被更优性能的新型超结MOSFET（如FQP系列升级型号）替代，但仍在部分成熟低成本方案中沿用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 900MA TO-220F |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQPF1N60 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 150pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 11.5 欧姆 @ 450mA，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220F |
| 功率-最大值 | 21W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 900mA （Tc） |
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