Datasheet下载- 型号： FQPF19N10L
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQPF19N10L由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQPF19N10L价格参考。Fairchild SemiconductorFQPF19N10L封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQPF19N10L参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQPF19N10L 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美）的FQPF19N10L是一款N沟道增强型功率MOSFET，属于晶体管中的场效应管（FET）类别。该器件具有100V的漏源电压（Vds）和19A的连续漏极电流能力，导通电阻低（典型值约55mΩ），适用于高效率、低功耗的开关应用。 FQPF19N10L广泛应用于多种电源管理场景，如直流-直流（DC-DC）转换器、开关电源（SMPS）、电机驱动电路以及电池供电设备中的功率控制模块。其快速开关特性使其在高频工作环境下表现优异，有助于提升系统整体能效。此外，该MOSFET常用于逆变器、LED照明驱动电源和消费类电子产品（如电视、显示器电源板）中，作为主开关或同步整流元件。 由于采用TO-220封装，FQPF19N10L具备良好的热稳定性和较高的功率耗散能力，适合在工业控制、家电控制板和电源适配器等中等功率场合使用。同时，其栅极驱动电压兼容标准逻辑电平（如5V或10V），便于与微控制器或驱动IC直接接口，简化电路设计。 总之，FQPF19N10L凭借其高电流、低导通电阻和可靠性能，成为中小功率电源系统中理想的开关元件，适用于对效率和稳定性有较高要求的应用场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 13.6A TO-220F |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQPF19N10L |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 870pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 18nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 100 毫欧 @ 6.8A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220F |
| 功率-最大值 | 38W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 13.6A （Tc） |
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